liguan1218@163.com
15562450816
中文 | English
網站首頁
關于我們
公司簡介
企業文化
專利證書
產品展示
半導體工藝設備
化合物半導體設備
新聞資訊
公司新聞
行業資訊
招賢納士
管理理念
加入力冠
聯系我們
English
產品分類
暫無數據
聯系方式
地址:濟南市槐蔭區濟南寬禁帶半導體產業園
電話:15562450816
郵箱:liguan1218@163.com
液相法長晶爐
液相法可以在更低的溫度(<2000℃)以下實現SiC單晶的生長,理論上更容易獲得高質量的單晶。利用溫度梯度作為生長驅動力來實現晶體的生長。
在線留言
擴散/氧化/退火
CVD設備
SiC單晶生長設備
GaN單晶生長設備
Ga2O3單晶生長設備
金剛石單晶生長設備
Copyright ? 山東力冠微電子裝備有限公司
網站建設:中企動力 濟南二分 | 標簽 | 營業執照 | 城市分站