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專門用于碳化硅（SiC）氮化鎵（GaN）器件的離子注入后退火工藝，采用特殊的無金屬加熱設計使加工溫度提高到2000℃。 適用工藝：SiC和GaN晶圓的退火
專用于SiC晶圓的高溫氧化工藝，可實現晶圓片高溫真空環境下完成氧化工藝。可使用O2,N2O，NO，NO2或濕法氧化，采用無金屬加熱和真空裝備。 適用工藝：氧化
該設備是半導體生產線前工序的重要工藝設備之一，用于大規模集成電路、 分立器件、電力電子、光電器件等行業的氧化、擴散、退火、合金等工藝。 氧化工藝：主要用于初始氧化層、柵氧化層、場氧化層等多種氧化介質層的制備工藝。
? 適用領域： ?集成電路、先進封裝 Relevant Industries: Integrated Circuits, Advanced Packaging ? 適用材料: ?Si、SiC Suitable for Processing: Silicon (Si), Silicon Carbide (SiC) ?晶圓尺寸: ?12/8/6英寸 Wafer Size: 12/8/6 inch ?適用工藝: ?氧化(Oxidation)、退火(Annealing)、固化(Polyimide)、合金(Alloy)、擴散(Diffusion) Applicable Processes: ?Oxidation, Annealing, Polyimide Curing, Alloy, Diffusion